Компания Hynix Semiconductor отрапортовала об успешной разработке двухгигабитных чипов Mobile DRAM, выполненных по 54-нм проектным нормам. До сих пор ёмкость микросхем такого типа не превышала 1 Гбит. Таким образом, Hynix удалось увеличить максимальную ёмкость Mobile DRAM в два раза.

Быстродействие новых чипов достигает 400 Мбит/с при напряжении питания 1,2 В. При использовании 32-разрядной шины доступа пропускная способность памяти составляет 1,6 гигабайт в секунду.

Новые микросхемы Hynix отличаются гибким дизайном. Благодаря этому они совместимы с двумя интерфейсами SDRAM и DDR DRAM, а также поддерживают организацию x16 и x32.

Ожидается, что новинки найдут применение в устройствах типа MID и UMPC, хотя этим сфера их использования, конечно же, не ограничится. Массовое производство 2-Гбит чипов стартует в первой половине следующего года.